功率器件 IGBT/MOSFET：功率器件和功率IC，功率器件又包含二極管、晶體管和晶閘管；
 第三代半導(dǎo)體材料：碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、砷化鎵、氮化鋁（AIN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料;
功率半導(dǎo)體設(shè)備及零部件：減薄機(jī)、單晶爐、研磨機(jī)、熱處理設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入設(shè)備、CVD/PVD設(shè)備固晶機(jī)、等離子清洗設(shè)備、切割機(jī)、裝片機(jī)、鍵合機(jī)、焊線機(jī)、回流焊，波峰焊、測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、耦合機(jī)、載帶成型機(jī)、傳感器、封裝模具、測(cè)試治具、精密滑臺(tái)、步進(jìn)電機(jī)、閥門、探針臺(tái)、潔凈室設(shè)備、水處理以及功率半導(dǎo)體設(shè)備零部件等；
功率半導(dǎo)體測(cè)試/檢測(cè)設(shè)備：動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備、靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 、功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備、功率半導(dǎo)體器件可靠性試驗(yàn)、恒溫恒濕試驗(yàn)箱、X射線三維檢測(cè)設(shè)備等；
設(shè)計(jì)和開發(fā)：EDA、IP設(shè)計(jì)、嵌入式軟件、數(shù)字電路設(shè)計(jì)、模擬與混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)、集成電路布局設(shè)計(jì)、IDM、Fabless 廠等;
封裝測(cè)試：絲網(wǎng)印刷、自動(dòng)貼片、真空回流焊接、超聲波清洗、X-RAY 缺陷檢測(cè)、自動(dòng)鍵合、激光打標(biāo)、殼體塑封、功率端子鍵合、殼體灌膠與固化、封裝、端子成形、功能測(cè)試；
散熱管理：熱管理材料產(chǎn)業(yè)鏈如導(dǎo)熱界面材料、碳納米材料如石墨烯、碳納米管；高導(dǎo)熱封裝材料（氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、碳化硅）以及鋁Al、銅Cu、鉬Mo、可伐合金/Silvar合金、Cu-W、Cu-Mo、Cu/Invar/Cu、Cu/Mo/Cu 等，蓄熱材料（相變材料），熱電制冷器件（TEC）、粘接劑、及其加工檢測(cè)設(shè)備、耗材等。